Das doppelseitige, kupferkupferte Substrat von Siliziumnitrid hat mehrere Vorteile: eine hohe thermische Leitfähigkeit der thermischen Leistung: Siliziumnitrid hat eine hohe thermische Leitfähigkeit von etwa 90 Gew/mk, die signifikant höher ist Dies ermöglicht eine effiziente Wärmeableitung von den elektronischen Komponenten, um sicherzustellen, dass die Geräte in sicheren Temperaturbereichen arbeiten und ihre Leistung und Zuverlässigkeit aufrechterhalten. Gute thermische Expansionsübereinstimmung: Der Koeffizient der thermischen Expansion von Siliziumnitrid (2,6 ppm/k) liegt nahe an der von Silizium (4 ppm/k). Diese enge Übereinstimmung reduziert die thermische Belastung der Komponenten bei Temperaturänderungen, was für die langfristige Stabilität und Zuverlässigkeit der elektronischen Geräte von entscheidender Bedeutung ist, insbesondere bei Hochleistungs- und Hochtemperaturanwendungen. Überlegene mechanische Eigenschaften hoher Festigkeit und Zähigkeit: Siliziumnitrid -Keramik -Substrate haben eine hohe Biegefestigkeit und Frakturzähigkeit. Die Biegefestigkeit von Siliziumnitridkeramik kann bis zu 800 MPa erreichen, was viel höher ist als die von Aluminiumoxid- und Aluminium -Nitrid -Substraten. Diese hohe Festigkeit und Zähigkeit macht das Substrat widerstandsfähiger gegen mechanische Schocks und Auswirkungen, wodurch das Risiko von Rissen und Schäden während der Herstellung, Montage und dem Betrieb verringert wird. Ausgezeichnete thermische Schockwiderstand: Siliziumnitridkeramik kann schnelle Temperaturänderungen standhalten, ohne zu brechen. Diese Eigenschaft ist besonders wichtig in Applicat