Shaanxi Puwei Electronic Technology Co., Ltd

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AMB-Keramik-Kupfersubstrate für neue Energie
AMB-Keramik-Kupfersubstrate für neue Energie
AMB-Keramik-Kupfersubstrate für neue Energie
AMB-Keramik-Kupfersubstrate für neue Energie

AMB-Keramik-Kupfersubstrate für neue Energie

  • $5

    ≥50 Piece/Pieces

Schatten:
  • Zahlungsart: T/T
  • Incoterm: FOB,CIF,EXW
  • Minimum der Bestellmenge: 50 Piece/Pieces
  • Transport: Ocean,Air,Express
  • Hafen: Shanghai,Beijing,Xi’an
Beschreibung
Produkteigenschaften

MarkePuwei-Keramik

Arten VonHochfrequenzkeramik

MaterialALUMINIEN, Aluminiumnitrid, Siliziumnitrid

Neue Energieindustrie Amb SubstrateAMB-Keramik-Kupfer-Substrate für die neue Energieindustrie

Verpackung & Lieferung
Verkaufseinheiten: Piece/Pieces
Pakettyp: Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun
Bildbeispiel:
Lieferfähigkeit & Zusatzinformationen

VerpakungKeramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun

Produktivität1000000

TransportOcean,Air,Express

Ort Von ZukunftChina

Unterstützung überThe annual output of ceramic substrate products is 1 million pieces.

Zertifikate GXLH41023Q10642R0S

HafenShanghai,Beijing,Xi’an

ZahlungsartT/T

IncotermFOB,CIF,EXW

Si₃n₄ Amb -Substrat
00:23
Siliciumnitrid doppelseitiges BUM-Kupfer-Substrat
00:27
Produktbeschreibung

AMB-keramische kupferkaschierte Substrate für neue Energieanwendungen

Die kupferbeschichteten AMB-Keramiksubstrate (Active Metal Brazing) von Puwei stellen einen bedeutenden Fortschritt in der Verpackungstechnologie für Leistungselektronik dar. Diese Substrate wurden speziell für die anspruchsvollen Anforderungen neuer Energieanwendungen entwickelt und bieten ein hervorragendes Wärmemanagement, außergewöhnliche Zuverlässigkeit und eine verbesserte Leistungsdichte für Energiesysteme der nächsten Generation.

Vorteile der Kerntechnologie

  • Überragende Wärmeleistung: Wärmeleitfähigkeit bis zu 200 W/mK für effiziente Wärmeableitung
  • Außergewöhnliche Haftfestigkeit: Eine Schälfestigkeit von über 80 MPa verhindert eine Delaminierung
  • Optimierte CTE-Anpassung: Passt Halbleitermaterialien genau an, um thermische Belastungen zu reduzieren
  • Hohe Stromkapazität: Unterstützt Ströme über 500 A für Hochleistungsanwendungen

Technische Spezifikationen

Materialoptionen

  • Keramische Materialien: Aluminiumoxid (Al₂O₃), Aluminiumnitrid (AlN), Siliziumnitrid (Si₃N₄)
  • Kupferstärke: 0,3 mm – 0,8 mm (kundenspezifisch bis 2,00 mm)
  • Keramikdicke: 0,25 mm – 1,0 mm
  • Standardgrößen: Bis zu 240 mm × 280 mm

Thermische Eigenschaften

  • Wärmeleitfähigkeit:
    • Si₃N₄-AMB: >90 W/mK
    • AlN-AMB: 180–200 W/mK
    • Al₂O₃-AMB: 24-28 W/mK
  • Betriebstemperatur: -55 °C bis 400 °C
  • CTE-Anpassung: Siliziumnitrid CTE ~3,2 ppm/K

Elektrische und mechanische Eigenschaften

  • Spannungsfestigkeit: >20 kV/mm
  • Haftfestigkeit: >80 MPa
  • Temperaturwechsel: >5.000 Zyklen (-55 °C bis 150 °C)
  • Aktuelle Kapazität: >500A kontinuierlich
AMB Substrate used in new energy power module

AMB-Substrat im Hochleistungs-New-Energy-Modul – kompaktes Design mit hervorragender thermischer Leistung

Close-up view of AMB substrate surface

Präzise AMB-Substratoberfläche – gleichmäßige Kupferschicht auf fortschrittlicher Keramikbasis

Erweiterte Funktionen und technische Vorteile

Hohe Wärmeleitfähigkeit

Mit einer Wärmeleitfähigkeit von mehr als 90 W/mK für Si₃N₄-AMB-Varianten und bis zu 200 W/mK für AlN-AMB leiten diese Substrate die Wärme von Hochleistungsgeräten effizient ab. Diese wichtige Funktion verhindert eine Überhitzung bei Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge und Solarwechselrichtern und erhöht so die Systemlebensdauer und -zuverlässigkeit in Leistungsgeräten und mikroelektronischen Hochleistungskomponenten .

Außergewöhnliche Haftfestigkeit

Durch das aktive Metalllöten entsteht eine robuste chemische Verbindung an der Keramik-Metall-Grenzfläche, wodurch Schälfestigkeiten von über 80 MPa erreicht werden. Diese fortschrittliche Verbindungstechnologie verhindert die Delaminierung von Kupfer während des Temperaturwechsels und behebt damit eine häufige Fehlerursache bei herkömmlichen Substraten, die in elektronischen Verpackungsanwendungen verwendet werden.

Optimierte Anpassung der Wärmeausdehnung

Der CTE von Siliziumnitrid (3,2 ppm/K) entspricht weitgehend dem von Halbleitermaterialien wie SiC (4,0 ppm/K), wodurch die thermische Belastung deutlich reduziert und Rissbildung verhindert wird. Diese optimale CTE-Anpassung macht AMB-Substrate ideal für die direkte Chipbefestigung in fortschrittlichen Mikroelektronikgehäusen, ohne dass Zwischenschichten erforderlich sind.

Hohe Strombelastbarkeit

Diese Substrate unterstützen Kupferdicken von bis zu 0,8 mm und können Ströme von mehr als 500 A verarbeiten. Dadurch eignen sie sich für Hochleistungsanwendungen in Windkraftanlagen, Schienensystemen und industriellen Stromwandlern, bei denen eine hohe Zuverlässigkeit für den Schutz integrierter Schaltkreise unerlässlich ist.

Überragende Temperaturwechselbeständigkeit

Strenge Tests bei Temperaturzyklen von -55 °C bis 150 °C belegen eine Lebensdauer von mehr als 5.000 Zyklen und übertreffen damit herkömmliche Substrate deutlich. Diese außergewöhnliche Zuverlässigkeit ist für Energiespeichersysteme im Automobil- und Außenbereich, die extremen Umweltbedingungen ausgesetzt sind, von entscheidender Bedeutung.

Fortschrittlicher Technologievergleich

Die AMB-Technologie bietet deutliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Ansätzen: höhere Bindungsstärke als DBC-Substrate, bessere Hochleistungsfähigkeit im Vergleich zu DPC-Substraten und verbesserte Zuverlässigkeit durch aktive Metallbindung im Vergleich zu standardmäßigen metallisierten Keramiken für Sensorgehäuse und Präzisionsanwendungen.

Implementierungs- und Integrationsprozess

  1. Substratauswahl und Materialoptimierung

    Wählen Sie die optimale Materialkonfiguration (Si₃N₄ für hohe Zuverlässigkeit, AlN für maximale Wärmeleitfähigkeit) basierend auf Ihrer spezifischen Leistungsdichte, Ihren Anforderungen an das Wärmemanagement und der Kompatibilität mit Mikroelektronik- und Hochfrequenzmodulen .

  2. Entwurf und Optimierung von Schaltungsmustern

    Arbeiten Sie mit unserem Ingenieurteam zusammen, um Schaltungslayouts zu entwerfen und zu optimieren. Wir bieten umfassende Ätzdienste an, um präzise Spuren auf der Kupferschicht zu erzeugen und so eine optimale Stromverteilung und thermische Leistung sicherzustellen.

  3. Montage von Halbleiterkomponenten

    Montieren Sie Halbleiterchips (SiC-MOSFETs, IGBTs) mithilfe standardmäßiger Die-Attach-Prozesse direkt auf dem AMB-Substrat. Die hervorragende CTE-Anpassung des Substrats minimiert mechanische Belastungen und erhöht die langfristige Zuverlässigkeit.

  4. Integration des Wärmemanagements

    Befestigen Sie das Substrat mithilfe fortschrittlicher Wärmeleitmaterialien an Kühlkörpern oder Kühlsystemen. Die hohe Wärmeleitfähigkeit sorgt für eine effiziente Wärmeübertragung und sorgt für optimale Betriebstemperaturen.

  5. Leistungsvalidierung und Zuverlässigkeitstests

    Führen Sie umfassende elektrische, thermische und mechanische Tests durch, um die Leistung unter tatsächlichen Betriebsbedingungen zu überprüfen. Unsere Substrate sind vorab auf Durchschlagsfestigkeit, thermische Zyklen und langfristige Zuverlässigkeit validiert.

Branchenanwendungen und Anwendungsfälle

Neue Energiefahrzeuge

AMB-Substrate sind wichtige Komponenten in Traktionswechselrichtern und Bordladegeräten für Elektro- und Hybridfahrzeuge. Die „SiC + AMB“-Kombination unterstützt fortschrittliche 800-V-Architekturen, reduziert die Ladezeiten um 30–40 % und verbessert gleichzeitig die Effizienz und Zuverlässigkeit des Gesamtsystems.

Erneuerbare Energiesysteme

In Photovoltaik-Wechselrichtern und Windkraftkonvertern verbessern AMB-Substrate die Effizienz der Stromumwandlung und die Systemzuverlässigkeit. Ihre außergewöhnlichen Wärmemanagementfähigkeiten gewährleisten eine stabile Leistung in großen Solarparks und Windkraftanlagenanwendungen und ergänzen unsere Expertise in Mikrowellenanwendungen und Leistungselektronik.

Energiespeicherlösungen

Für Batteriemanagementsysteme und DC-AC-Wandler in Energiespeicheranwendungen bieten AMB-Substrate die thermische Stabilität und elektrische Isolierung, die für einen sicheren und effizienten Betrieb erforderlich sind. Ihre robuste Konstruktion hält den anspruchsvollen Bedingungen von Energiespeicheranlagen im Netzmaßstab stand.

Industrielle Leistungselektronik

Hochleistungsmotorantriebe, USV-Systeme und Industriewandler profitieren von der überlegenen thermischen Leistung und mechanischen Haltbarkeit von AMB. Die Zuverlässigkeit der Substrate reduziert den Wartungsaufwand und Ausfallzeiten in kritischen Fertigungs- und Infrastrukturanwendungen.

Schienenverkehr

In Eisenbahnantriebssystemen und Stromrichtern liefern AMB-Substrate zuverlässige Leistung unter extremen Umgebungsbedingungen. Ihre Thermoschockbeständigkeit gewährleistet einen gleichmäßigen Betrieb in unterschiedlichen Klimazonen, von Wüstenhitze bis hin zu arktischer Kälte.

Wasserstoff-Energiesysteme

AMB-Substrate werden in Brennstoffzellen-Leistungsreglern und Elektrolysesystemen eingesetzt, wo eine hohe Temperaturstabilität und Feuchtigkeitsbeständigkeit von entscheidender Bedeutung sind. Sie gewährleisten zuverlässige Leistung in den anspruchsvollen Umgebungen der Wasserstoffproduktion und Brennstoffzellenanwendungen.

Geschäftswert und ROI

Leistungs- und Zuverlässigkeitsvorteile

  • Längere Produktlebensdauer: Reduzierte thermische Belastung senkt die Ausfallraten um 40–60 %, wodurch Wartungskosten und Garantieansprüche deutlich gesenkt werden
  • Höhere Systemeffizienz: Eine verbesserte Wärmeableitung ermöglicht Designs mit einer um 20–30 % höheren Leistungsdichte und ermöglicht so kompaktere und effizientere Systeme
  • Erhöhte Zuverlässigkeit: Überragende Temperaturwechselleistung (>5.000 Zyklen) sorgt für langfristige Betriebsstabilität in anspruchsvollen Anwendungen
  • Reduzierter Wärmewiderstand: 30–50 % geringerer Wärmewiderstand im Vergleich zu herkömmlichen Substraten verbessert die Gesamtsystemeffizienz

Wirtschaftliche Vorteile

  • Niedrigere Gesamtbetriebskosten: Längere Betriebslebensdauer und geringere Ausfallraten senken die Gesamtsystemkosten um 25–35 %
  • Reduzierter Kühlbedarf: Überlegene thermische Leistung minimiert oder eliminiert den Bedarf an komplexen Kühlsystemen und senkt die Stücklistenkosten
  • Schnellere Markteinführung: Umfassender technischer Support und Rapid-Prototyping-Funktionen beschleunigen die Entwicklungszyklen
  • Designflexibilität: Anpassbare Lösungen ermöglichen optimierte Designs ohne teure Werkzeugänderungen oder Neukonstruktionen

Fortschrittlicher Herstellungsprozess

  1. Materialvorbereitung und -formulierung

    Hochreine Keramikpulver (Si₃N₄, AlN, Al₂O₃) werden präzise formuliert und zu Substraten gepresst und anschließend bei hohen Temperaturen gesintert, um optimale Dichte und mechanische Eigenschaften zu erreichen.

  2. Aktive Metallpastenanwendung

    Eine spezielle Lotpaste mit aktiven Elementen (Ti, Zr) wird im Siebdruckverfahren auf die Keramikoberfläche aufgedruckt, wobei Dicke und Verteilung präzise gesteuert werden.

  3. Kupferfolienintegration

    Eine sauerstofffreie Kupferfolie wird sorgfältig ausgerichtet und über die Aktivmetallpaste gelegt, um einen gleichmäßigen Kontakt und optimale Bindungsbedingungen zu gewährleisten.

  4. Vakuumlötprozess

    Die Baugruppe wird in einem Vakuumofen kontrolliert auf etwa 800 °C erhitzt, wobei das aktive Metalllot schmilzt und eine dauerhafte chemische Verbindung zwischen Keramik und Kupfer bildet.

  5. Präzises Ätzen und Mustern

    Fortschrittliche Photolithographie- und chemische Ätzverfahren erzeugen präzise Schaltkreismuster auf der Kupferschicht und erreichen so eine Genauigkeit im Mikrometerbereich für komplexe Layouts.

  6. Umfassende Qualitätssicherung

    Jedes Substrat wird einer strengen Sichtprüfung, elektrischen Tests, Validierung der thermischen Leistung und Überprüfung der mechanischen Festigkeit unterzogen, um die Einhaltung der Spezifikationen sicherzustellen.

Qualitätssicherung und Zertifizierungen

Qualitätsstandards und Compliance

  • ISO 9001:2015 zertifiziertes Qualitätsmanagementsystem
  • RoHS- und REACH-Umweltkonformität
  • UL-Anerkennung für elektrische Komponenten
  • Branchenspezifische Automobil- und Luft- und Raumfahrtstandards
  • Patentgeschützte Herstellungsverfahren
  • Statistische Prozesskontrolle und Programme zur kontinuierlichen Verbesserung

Anpassungsmöglichkeiten

Puwei bietet umfassende kundenspezifische Dienstleistungen an, um spezifische Anwendungsanforderungen für neue Energiesysteme zu erfüllen:

Materialkonfiguration

  • Mehrere Keramikoptionen: Al₂O₃, AlN, Si₃N₄
  • Kundenspezifische Reinheitsgrade und Materialformulierungen
  • Dickenbereich: 0,2 mm – 2,00 mm
  • Großformatfähigkeiten bis zu 240 mm × 280 mm

Anpassung der Kupferschicht

  • Kupferstärke: 0,1 mm – 0,8 mm
  • Benutzerdefinierte Schaltungsmuster und Layouts
  • Mehrere Optionen für die Oberflächenveredelung
  • Spezialisiertes Ätzen für Designs mit hoher Dichte

Spezielle Anforderungen

  • Anwendungsspezifische CTE-Anpassung
  • Formulierungen mit verbesserter thermischer Leistung
  • Hochzuverlässige Konfigurationen für kritische Anwendungen
  • Rapid Prototyping und Musterentwicklung

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