Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
$5
≥50 Piece/Pieces
Marke: Puwei-Keramik
Arten Von: Hochfrequenzkeramik
Material: ALUMINIEN, Aluminiumnitrid, Siliziumnitrid
Neue Energieindustrie Amb Substrate: AMB-Keramik-Kupfer-Substrate für die neue Energieindustrie
| Verkaufseinheiten: | Piece/Pieces |
|---|---|
| Pakettyp: | Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun |
| Bildbeispiel: |
Verpakung: Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun
Produktivität: 1000000
Transport: Ocean,Air,Express
Ort Von Zukunft: China
Unterstützung über: The annual output of ceramic substrate products is 1 million pieces.
Zertifikate : GXLH41023Q10642R0S
Hafen: Shanghai,Beijing,Xi’an
Zahlungsart: T/T
Incoterm: FOB,CIF,EXW
Die kupferbeschichteten AMB-Keramiksubstrate (Active Metal Brazing) von Puwei stellen einen bedeutenden Fortschritt in der Verpackungstechnologie für Leistungselektronik dar. Diese Substrate wurden speziell für die anspruchsvollen Anforderungen neuer Energieanwendungen entwickelt und bieten ein hervorragendes Wärmemanagement, außergewöhnliche Zuverlässigkeit und eine verbesserte Leistungsdichte für Energiesysteme der nächsten Generation.

AMB-Substrat im Hochleistungs-New-Energy-Modul – kompaktes Design mit hervorragender thermischer Leistung

Präzise AMB-Substratoberfläche – gleichmäßige Kupferschicht auf fortschrittlicher Keramikbasis
Mit einer Wärmeleitfähigkeit von mehr als 90 W/mK für Si₃N₄-AMB-Varianten und bis zu 200 W/mK für AlN-AMB leiten diese Substrate die Wärme von Hochleistungsgeräten effizient ab. Diese wichtige Funktion verhindert eine Überhitzung bei Wechselrichtern für Elektrofahrzeuge und Solarwechselrichtern und erhöht so die Systemlebensdauer und -zuverlässigkeit in Leistungsgeräten und mikroelektronischen Hochleistungskomponenten .
Durch das aktive Metalllöten entsteht eine robuste chemische Verbindung an der Keramik-Metall-Grenzfläche, wodurch Schälfestigkeiten von über 80 MPa erreicht werden. Diese fortschrittliche Verbindungstechnologie verhindert die Delaminierung von Kupfer während des Temperaturwechsels und behebt damit eine häufige Fehlerursache bei herkömmlichen Substraten, die in elektronischen Verpackungsanwendungen verwendet werden.
Der CTE von Siliziumnitrid (3,2 ppm/K) entspricht weitgehend dem von Halbleitermaterialien wie SiC (4,0 ppm/K), wodurch die thermische Belastung deutlich reduziert und Rissbildung verhindert wird. Diese optimale CTE-Anpassung macht AMB-Substrate ideal für die direkte Chipbefestigung in fortschrittlichen Mikroelektronikgehäusen, ohne dass Zwischenschichten erforderlich sind.
Diese Substrate unterstützen Kupferdicken von bis zu 0,8 mm und können Ströme von mehr als 500 A verarbeiten. Dadurch eignen sie sich für Hochleistungsanwendungen in Windkraftanlagen, Schienensystemen und industriellen Stromwandlern, bei denen eine hohe Zuverlässigkeit für den Schutz integrierter Schaltkreise unerlässlich ist.
Strenge Tests bei Temperaturzyklen von -55 °C bis 150 °C belegen eine Lebensdauer von mehr als 5.000 Zyklen und übertreffen damit herkömmliche Substrate deutlich. Diese außergewöhnliche Zuverlässigkeit ist für Energiespeichersysteme im Automobil- und Außenbereich, die extremen Umweltbedingungen ausgesetzt sind, von entscheidender Bedeutung.
Die AMB-Technologie bietet deutliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Ansätzen: höhere Bindungsstärke als DBC-Substrate, bessere Hochleistungsfähigkeit im Vergleich zu DPC-Substraten und verbesserte Zuverlässigkeit durch aktive Metallbindung im Vergleich zu standardmäßigen metallisierten Keramiken für Sensorgehäuse und Präzisionsanwendungen.
Wählen Sie die optimale Materialkonfiguration (Si₃N₄ für hohe Zuverlässigkeit, AlN für maximale Wärmeleitfähigkeit) basierend auf Ihrer spezifischen Leistungsdichte, Ihren Anforderungen an das Wärmemanagement und der Kompatibilität mit Mikroelektronik- und Hochfrequenzmodulen .
Arbeiten Sie mit unserem Ingenieurteam zusammen, um Schaltungslayouts zu entwerfen und zu optimieren. Wir bieten umfassende Ätzdienste an, um präzise Spuren auf der Kupferschicht zu erzeugen und so eine optimale Stromverteilung und thermische Leistung sicherzustellen.
Montieren Sie Halbleiterchips (SiC-MOSFETs, IGBTs) mithilfe standardmäßiger Die-Attach-Prozesse direkt auf dem AMB-Substrat. Die hervorragende CTE-Anpassung des Substrats minimiert mechanische Belastungen und erhöht die langfristige Zuverlässigkeit.
Befestigen Sie das Substrat mithilfe fortschrittlicher Wärmeleitmaterialien an Kühlkörpern oder Kühlsystemen. Die hohe Wärmeleitfähigkeit sorgt für eine effiziente Wärmeübertragung und sorgt für optimale Betriebstemperaturen.
Führen Sie umfassende elektrische, thermische und mechanische Tests durch, um die Leistung unter tatsächlichen Betriebsbedingungen zu überprüfen. Unsere Substrate sind vorab auf Durchschlagsfestigkeit, thermische Zyklen und langfristige Zuverlässigkeit validiert.
AMB-Substrate sind wichtige Komponenten in Traktionswechselrichtern und Bordladegeräten für Elektro- und Hybridfahrzeuge. Die „SiC + AMB“-Kombination unterstützt fortschrittliche 800-V-Architekturen, reduziert die Ladezeiten um 30–40 % und verbessert gleichzeitig die Effizienz und Zuverlässigkeit des Gesamtsystems.
In Photovoltaik-Wechselrichtern und Windkraftkonvertern verbessern AMB-Substrate die Effizienz der Stromumwandlung und die Systemzuverlässigkeit. Ihre außergewöhnlichen Wärmemanagementfähigkeiten gewährleisten eine stabile Leistung in großen Solarparks und Windkraftanlagenanwendungen und ergänzen unsere Expertise in Mikrowellenanwendungen und Leistungselektronik.
Für Batteriemanagementsysteme und DC-AC-Wandler in Energiespeicheranwendungen bieten AMB-Substrate die thermische Stabilität und elektrische Isolierung, die für einen sicheren und effizienten Betrieb erforderlich sind. Ihre robuste Konstruktion hält den anspruchsvollen Bedingungen von Energiespeicheranlagen im Netzmaßstab stand.
Hochleistungsmotorantriebe, USV-Systeme und Industriewandler profitieren von der überlegenen thermischen Leistung und mechanischen Haltbarkeit von AMB. Die Zuverlässigkeit der Substrate reduziert den Wartungsaufwand und Ausfallzeiten in kritischen Fertigungs- und Infrastrukturanwendungen.
In Eisenbahnantriebssystemen und Stromrichtern liefern AMB-Substrate zuverlässige Leistung unter extremen Umgebungsbedingungen. Ihre Thermoschockbeständigkeit gewährleistet einen gleichmäßigen Betrieb in unterschiedlichen Klimazonen, von Wüstenhitze bis hin zu arktischer Kälte.
AMB-Substrate werden in Brennstoffzellen-Leistungsreglern und Elektrolysesystemen eingesetzt, wo eine hohe Temperaturstabilität und Feuchtigkeitsbeständigkeit von entscheidender Bedeutung sind. Sie gewährleisten zuverlässige Leistung in den anspruchsvollen Umgebungen der Wasserstoffproduktion und Brennstoffzellenanwendungen.
Hochreine Keramikpulver (Si₃N₄, AlN, Al₂O₃) werden präzise formuliert und zu Substraten gepresst und anschließend bei hohen Temperaturen gesintert, um optimale Dichte und mechanische Eigenschaften zu erreichen.
Eine spezielle Lotpaste mit aktiven Elementen (Ti, Zr) wird im Siebdruckverfahren auf die Keramikoberfläche aufgedruckt, wobei Dicke und Verteilung präzise gesteuert werden.
Eine sauerstofffreie Kupferfolie wird sorgfältig ausgerichtet und über die Aktivmetallpaste gelegt, um einen gleichmäßigen Kontakt und optimale Bindungsbedingungen zu gewährleisten.
Die Baugruppe wird in einem Vakuumofen kontrolliert auf etwa 800 °C erhitzt, wobei das aktive Metalllot schmilzt und eine dauerhafte chemische Verbindung zwischen Keramik und Kupfer bildet.
Fortschrittliche Photolithographie- und chemische Ätzverfahren erzeugen präzise Schaltkreismuster auf der Kupferschicht und erreichen so eine Genauigkeit im Mikrometerbereich für komplexe Layouts.
Jedes Substrat wird einer strengen Sichtprüfung, elektrischen Tests, Validierung der thermischen Leistung und Überprüfung der mechanischen Festigkeit unterzogen, um die Einhaltung der Spezifikationen sicherzustellen.
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.
Fill in more information so that we can get in touch with you faster
Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.