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ALN -Keramik -Substrate: revolutionäre IGBT -Modulanwendungen revolutionieren
In den letzten Jahren hat die Power Electronics -Industrie erhebliche Fortschritte verzeichnet, wobei das IGBT -Modul (isoliertes Gate Bipolar Transistor) eine zentrale Rolle in verschiedenen Anwendungen spielt, die von Elektrofahrzeugen bis hin zu erneuerbaren Energiesystemen reichen. Inmitten dieser Entwicklungen hat sich die Anwendung von Aluminiumnitrid (ALN) -Keramik-Substraten in IGBT-Modulen als Game-Changer herausgestellt. Aln -Keramik -Substrate bieten eine Vielzahl von bemerkenswerten...
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