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$500
≥50 Piece/Pieces
Marke: Puwei-Keramik
Herkunftsort: China
Arten Von: Piezoelektrische Keramik, Elektrothermische Keramik, Hochfrequenzkeramik, Dielektrische Keramik, Isolierkeramik
Material: ALUMINIEN
Waferherstellung Roboterarm: Alumina -Keramik -Roboterarm für die Herstellung von Wafer
| Verkaufseinheiten: | Piece/Pieces |
|---|---|
| Pakettyp: | Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun |
| Bildbeispiel: |
Verpakung: Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun
Produktivität: 200000
Transport: Ocean,Air,Express
Ort Von Zukunft: China
Unterstützung über: The annual production of ceramic structural components are 200000 pieces.
Zertifikate : GXLH41023Q10642R0S
Hafen: Shanghai,Beijing,Xi’an
Zahlungsart: T/T
Incoterm: FOB,CIF,EXW
Der Roboterarm aus Aluminiumoxidkeramik von Puwei setzt den Maßstab für Zuverlässigkeit und Präzision in der Halbleiterautomatisierung. Es wurde speziell für anspruchsvolle Reinraumumgebungen bei der Waferherstellung entwickelt und bietet einen kontaminationsfreien Betrieb, Positionierungsgenauigkeit im Mikrometerbereich und eine außergewöhnliche Langlebigkeit, bei der die Leistung nicht verhandelbar ist. Seine inhärenten Eigenschaften machen es unverzichtbar für die Handhabung empfindlicher Komponenten in fortschrittlichen Produktionslinien für Mikroelektronikverpackungen und integrierte Schaltkreise .

Hochpräziser Roboterarm aus Aluminiumoxidkeramik, entwickelt für die Handhabung von Wafern im Reinraum.
Basismaterial: Hochreine Aluminiumoxidkeramik (Al₂O₃). Aluminiumoxidgehalt: ≥ 95 % (Standard), ≥ 99,6 % (hochrein). Mohs-Härte: 9. Dichte: 3,8–3,9 g/cm³. Oberflächenbeschaffenheit: Ra ≤ 0,2 μm (Spiegelglanz erhältlich).
Wärmeausdehnungskoeffizient: 6-8 × 10⁻⁶/°C. Wärmeleitfähigkeit: 15–30 W/(m·K). Maximale Betriebstemperatur: 1500 °C. Thermoschockbeständigkeit: Ausgezeichnet.
Volumenwiderstand: >10¹⁴ Ω·cm. Spannungsfestigkeit: 15–20 kV/mm. Druckfestigkeit: >2500 MPa. Biegefestigkeit: 300-400 MPa. Elastizitätsmodul: 300–400 GPa.
Erzeugt minimale Partikel und ist beständig gegen aggressive Prozesschemikalien, wodurch die Reinheit der Wafer in kritischen Schritten der elektronischen Verpackung und Sensorverpackung gewährleistet wird.
Widersteht Belastungen im Hochgeschwindigkeitsbetrieb ohne Verformung. Die geringe Wärmeausdehnung garantiert wiederholbare Präzision über Temperaturzyklen hinweg, was für Mikrowellenanwendungen von entscheidender Bedeutung ist.
Die Mohs-Härte von 9 gewährleistet eine deutlich längere Lebensdauer im Vergleich zu Metall- oder Polymerarmen und reduziert Wartungskosten und Ausfallzeiten.
Der hohe Volumenwiderstand verhindert elektrostatische Entladung und sorgt für eine sichere Handhabung empfindlicher Wafer für mikroelektronische Hochleistungskomponenten und Leistungsgeräte .

Optimiertes Design für präzisen Wafertransfer und Positionierung in Halbleiterwerkzeugen.
Präzise Übertragung und Positionierung in Lithographie-, CVD/PVD/ALD-Abscheidungs-, Ätz- und Ionenimplantationsmodulen.
Handhabung empfindlicher Wafer und Chips beim Würfeln, Chip-Bonden und abschließenden Testverfahren für verschiedene Mikroelektronikanwendungen .
Entscheidend für die Handhabung von Interposern und Substraten in 2,5D/3D-IC-Packaging, Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) und anderen fortschrittlichen Packaging-Technologien für integrierte Schaltkreise .
Zuverlässige Automatisierung bei der Produktion von Leistungsgeräten (z. B. IGBTs) und Mikrowellenkomponenten , bei denen Materialreinheit und -stabilität im Vordergrund stehen.
Jeder Roboterarm wird nach einem strengen, kontrollierten Prozess hergestellt: 1) Auswahl hochreiner Materialien. 2) Präzisionsformen (Pressen/Spritzguss). 3) Hochtemperatursintern in kontrollierter Atmosphäre. 4) Präzise CNC-Bearbeitung mit Toleranzen im Submikrometerbereich. 5) Strenge Inspektion (Abmessungen, Mechanik, Oberflächenqualität). 6) Reinraumverpackung.
Hergestellt in nach ISO 9001:2015 zertifizierten Anlagen. Prozesse und Materialien entsprechen den relevanten Standards der Halbleiterindustrie und gewährleisten so weltweite Akzeptanz und Zuverlässigkeit.
Wir bieten maßgeschneiderte Lösungen, die Ihren spezifischen Werkzeug- und Prozessanforderungen entsprechen:
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