Direktverbundene Kupfer -DBC -Metallisation des ALN -Substrats

Leistungsmerkmale

1. Überlegenes Wärmemanagement

   Mit einer Wärmeleitfähigkeit von 170–230 W/(m·K) – deutlich höher als Aluminiumoxid-Substrate – leiten unsere DBC-AlN-Substrate die Wärme von leistungsstarken mikroelektronischen Komponenten effektiv ab und gewährleisten so einen stabilen Betrieb auch in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.

2. Hervorragende elektrische Eigenschaften

   Hohe Durchbruchspannung und geringer dielektrischer Verlust machen diese Substrate ideal für Hochfrequenzmodule und Mikrowellenanwendungen und gewährleisten minimale Signalverzerrung und zuverlässige Leistung in HF-Schaltkreisen.

3. Mechanische Zuverlässigkeit

   Die starke Bindung zwischen Kupfer und AlN-Keramik sorgt für außergewöhnliche mechanische Festigkeit, verhindert Delamination und gewährleistet langfristige Zuverlässigkeit für integrierte Schaltkreisanwendungen .

4. Chemische Stabilität

   Diese Substrate sind gegen die meisten Säuren, Laugen und Salze beständig und behalten ihre Leistung in rauen chemischen Umgebungen bei, sodass sie für Industrie- und Automobilanwendungen geeignet sind.

Hervorragende Fertigungsqualität

1. Materialvorbereitung

   Hochreine AlN-Keramikgrünplatten werden mit präziser Maßkontrolle und Oberflächenqualität hergestellt.

2. Vorbehandlung von Kupferfolie

   Sauerstofffreie Kupferfolie wird einer Oberflächenbehandlung unterzogen, um optimale Verbindungseigenschaften zu gewährleisten.

3. Direkter Bonding-Prozess

   Durch das kontrollierte Hochtemperaturbonden unter bestimmten Druckbedingungen entsteht eine dauerhafte, zuverlässige Verbindung zwischen Kupfer und Keramik.

4. Präzise Musterung

   Fortschrittliche Fotolithografie- und Ätztechniken erzeugen präzise Schaltkreismuster für Verpackungsanwendungen in der Mikroelektronik .

5. Qualitätsüberprüfung

   Umfassende Tests stellen sicher, dass Maßgenauigkeit, Haftfestigkeit und elektrische Leistung den Spezifikationen entsprechen.