Category: SIC -Keramikprodukte

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Siliziumkarbid-SiC-Keramik-Trägerplatte

$5
≥50 Piece/Pieces

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Zahlungsart: T/T
Incoterm: FOB,CIF,EXW
Minimum der Bestellmenge: 50 Piece/Pieces
Transport: Ocean,Air,Express
Hafen: Shanghai,Beijing,Xi’an

Beschreibung

Produkteigenschaften

Marke: Puwei-Keramik

Herkunftsort: China

Arten Von: Hochfrequenzkeramik

Material: Siliziumkarbid

Silizium -Carbid -Trägerscheibe: Silizium -Carbid -Keramikträger -Tablettscheibe

Verpackung & Lieferung

Verkaufseinheiten:	Piece/Pieces
Pakettyp:	Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun
Bildbeispiel:

Lieferfähigkeit & Zusatzinformationen

Verpakung: Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun

Produktivität: 1000000

Transport: Ocean,Air,Express

Ort Von Zukunft: China

Unterstützung über: The annual production of ceramic structural components are 200000 pieces.

Zertifikate : GXLH41023Q10642R0S

Hafen: Shanghai,Beijing,Xi’an

Zahlungsart: T/T

Incoterm: FOB,CIF,EXW

Produktbeschreibung

Puwei Siliziumkarbid (SiC) Keramik-Trägerplatte

Die Keramik-Trägerplatte aus Siliziumkarbid (SiC) von Puwei wurde für die anspruchsvollsten Präzisionsfertigungsumgebungen entwickelt. Es besteht aus hochreinem SiC und bietet außergewöhnliche thermische Stabilität, chemische Inertheit und mechanische Haltbarkeit. Dieses Tablett ist für eine kontaminationsfreie Handhabung und Hochtemperaturbeständigkeit in kritischen Prozessen in der Halbleiter-, Optoelektronik- und fortschrittlichen Elektronikverpackungsindustrie unverzichtbar.

Siliziumkarbid-SiC-Keramik-Trägerplatte mit gleichmäßiger Oberfläche zur Waferunterstützung

SiC-Trägerscheibe in der Halbleiter-Reinraum-Anwendungsumgebung

Hauptmerkmale und Vorteile

Extreme Temperaturbeständigkeit (>1600 °C): Ideal für Hochtemperatur-Glüh- und Diffusionsprozesse in Halbleiter- und Mikroelektronikverpackungen .
Hervorragende chemische Inertheit: Beständig gegen Säuren, Laugen und Lösungsmittel und verhindert Verunreinigungen während Ätz- oder Reinigungszyklen.
Außergewöhnliche mechanische Festigkeit: Härte >2500 HV sorgt für minimale Verformung und lange Lebensdauer.
Hervorragende elektrische Isolierung (>10¹⁰ Ω·cm): Isoliert Wafer vor elektrischen Störungen, die für die Geräteintegrität von entscheidender Bedeutung sind.
Verbessertes Wärmemanagement (120–200 W/m·K): Überlegene Wärmeleitfähigkeit für effiziente Wärmeableitung im Vergleich zu herkömmlichen Aluminiumoxidschalen.
Präzise Oberflächenebenheit (<10 µm): Gewährleistet Positionsgenauigkeit für die Waferhandhabung in sensiblen Prozessen.

Technische Spezifikationen

Unsere SiC-Trägertabletts werden nach präzisen Spezifikationen hergestellt, um eine zuverlässige Leistung zu gewährleisten.

Material & Leistung

Basismaterial: Hochreines Siliziumkarbid (SiC)
Maximale Betriebstemperatur: >1600 °C
Wärmeleitfähigkeit: 120–200 W/m·K
Härte: >2500 HV (Vickers)
Oberflächenebenheit: <10 µm Abweichung
Standarddurchmesser: 100 mm bis 400 mm (anpassbar)
Elektrischer Widerstand: >10¹⁰ Ω·cm

Implementierungs- und Nutzungsrichtlinien

Inspektion vor der Verwendung: Überprüfen Sie vor dem Beladen die Sauberkeit des Tabletts und die Unversehrtheit der Oberfläche.
Richtige Beladung: Verteilen Sie Wafer oder Komponenten gleichmäßig, um Spannungskonzentrationen zu vermeiden.
Prozessintegration: Befolgen Sie etablierte Protokolle für Ofentransfers oder chemische Bäder.
Thermal Cycle: Implementieren Sie kontrolliertes Heizen und Kühlen, um die Lebensdauer des Tabletts zu maximieren.
Regelmäßige Wartung: Mit entionisiertem Wasser oder milden, nicht scheuernden Lösungsmitteln reinigen.

Anwendungsszenarien

Halbleiterfertigung

Entscheidend für Wafer-Glüh-, Ätz- und CVD-Prozesse, bei denen Präzision und Kontaminationskontrolle von größter Bedeutung sind. Unverzichtbar für Produktionslinien mit hoher Ausbeute bei der Herstellung mikroelektronischer Geräte.

Optoelektronik und LED-Herstellung

Bietet eine kontaminationsfreie, thermisch effiziente Basis für die Herstellung von LEDs und Laserdioden, die für ein präzises Wärmemanagement in optoelektronischen Anwendungen von entscheidender Bedeutung ist.

Herstellung von Leistungselektronik

Wird bei der Hochtemperaturverarbeitung von mikroelektronischen Hochleistungskomponenten und Leistungsgeräten verwendet, bei denen thermische Stabilität und Reinheit direkten Einfluss auf die Geräteleistung haben.

Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungssysteme

Schützt empfindliche Elektronik in extremen Umgebungen und bietet Zuverlässigkeit, wo herkömmliche Materialien versagen.

Wertversprechen und ROI

Längere Lebensdauer: Bis zu 5-mal längere Lebensdauer als Aluminiumoxidschalen, wodurch Austauschkosten und Ausfallzeiten reduziert werden.
Erhöhte Produktionsausbeute: Minimiert Waferbruch und Kontamination und verbessert die Gesamteffizienz der Linie.
Verbesserte Prozesseffizienz: Eine hohe Wärmeleitfähigkeit kann die Aufheizzeiten verkürzen und so den Energieverbrauch senken.
Reduzierter Wartungsaufwand: Außergewöhnliche Verschleiß- und Chemikalienbeständigkeit verringern die Reinigungs- und Austauschhäufigkeit.
Überlegene Prozessstabilität: Gleichbleibende Leistung sorgt für zuverlässige und wiederholbare Fertigungsergebnisse.

Anpassungs- und OEM-Services

Wir bieten eine umfassende Anpassung an Ihre spezifischen Verarbeitungsanforderungen.

Maßschneiderei: Kundenspezifische Durchmesser bis zu 400 mm und Dicken von 0,2 mm bis 2,00 mm.
Spezialfunktionen: Kundenspezifische Rillenmuster, Kantenprofile und Oberflächenveredelungen.
Materialkompetenz: Lösungen für die Integration mit anderen KERAMIKKOMPONENTEN oder komplexen Baugruppen.
Rapid Prototyping: Unterstützung für Designvalidierung und schnelle Musterfertigung.

Herstellungsprozess und Qualitätssicherung

Pulveraufbereitung: Auswahl und präzises Mischen hochreiner SiC-Pulver.
Präzisionsformen: Trockenpressen oder Spritzgießen, um eine endkonturnahe Form zu erreichen.
Hochtemperatursintern: Kontrolliertes Brennen über 2000 °C für optimale Dichte und Eigenschaften.
CNC-Bearbeitung: Präzises Schleifen und Endbearbeiten, um Genauigkeit und Oberflächenqualität im Mikrometerbereich sicherzustellen.
Strenge Qualitätskontrolle und Inspektion: Jedes Tablett wird vor dem Versand einer Ebenheits-, Maß- und Sichtprüfung unterzogen.

Zertifizierungen und Compliance

Unser Bekenntnis zur Qualität ist unerschütterlich. Wir arbeiten nach einem nach ISO 9001:2015 zertifizierten Qualitätsmanagementsystem. Alle Materialien entsprechen den Umweltrichtlinien RoHS und REACH und stellen so sicher, dass unsere Produkte den globalen Standards für Sicherheit und Zuverlässigkeit in kritischen Fertigungsanwendungen entsprechen.

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