Shaanxi Puwei Electronic Technology Co., Ltd

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Produkt-Liste> Aluminiumnitridkeramik> Aln Keramikstruktur Teile> AlN-Keramik-ESC-Elektrostatik-Chuck-Wafer-Tablett
AlN-Keramik-ESC-Elektrostatik-Chuck-Wafer-Tablett
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AlN-Keramik-ESC-Elektrostatik-Chuck-Wafer-Tablett

AlN-Keramik-ESC-Elektrostatik-Chuck-Wafer-Tablett

  • $50

    ≥50 Piece/Pieces

Schatten:
  • Zahlungsart: T/T
  • Incoterm: FOB,CIF
  • Minimum der Bestellmenge: 50 Piece/Pieces
  • Transport: Ocean,Air,Express
  • Hafen: Shanghai,Beijing,Xi’an
Beschreibung
Produkteigenschaften

MarkePuwei-Keramik

OriginChina

ZertifizierungGXLH41023Q10642R0S

HerkunftsortChina

Arten VonPiezoelektrische Keramik, Isolierkeramik, Elektrothermische Keramik, Hochfrequenzkeramik, Dielektrische Keramik

MaterialAluminiumnitrid

Aln EscALN CERAMIC ESC ELEKTROSTATISCHE CHUCK WAHL

Verpackung & Lieferung
Verkaufseinheiten: Piece/Pieces
Pakettyp: Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun
Bildbeispiel:
Lieferfähigkeit & Zusatzinformationen

VerpakungKeramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun

Produktivität200000

TransportOcean,Air,Express

Ort Von ZukunftChina

Unterstützung überThe annual production of ceramic structural components are 200000 pieces.

Zertifikate GXLH41023Q10642R0S

HafenShanghai,Beijing,Xi’an

ZahlungsartT/T

IncotermFOB,CIF

Produktbeschreibung

AlN Ceramic ESC Electrostatic Chuck Wafer Tray – Präzise thermische Lösungen für fortschrittliche mikroelektronische Verpackungen

Produktübersicht

Die Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik-Elektrostatik-Wafer-Trays (ESC) von Puwei wurden entwickelt, um die Handhabung von Wafern in anspruchsvollen Halbleiterumgebungen neu zu definieren. Durch die Kombination einer außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit (170–200 W/m·K) mit zuverlässiger elektrostatischer Klemmung gewährleisten diese Spannfutter eine gleichmäßige Temperaturverteilung über den Wafer – entscheidend für Prozesse wie Plasmaätzen, CVD und Ionenimplantation. Unsere AlN-ESCs wurden für die Produktion integrierter Schaltkreise und die Verpackung von Mikroelektronik entwickelt und liefern die Präzision und Konsistenz, die für die Herstellung von Geräten der nächsten Generation erforderlich sind.

Technische Spezifikationen

  • Materialzusammensetzung: Hochreine Aluminiumnitrid-Keramik (AlN).
  • Wärmeleitfähigkeit: 170–200 W/m·K – hervorragende Wärmeableitung für mikroelektronische Hochleistungskomponenten
  • Volumenwiderstand: 10¹⁰–10¹⁴ Ω·cm (kontrollierbar) – optimale Adsorptionskraft bei allen Temperaturen
  • Temperaturgleichmäßigkeit: ±1 °C über die gesamte Waferoberfläche – gewährleistet die Wiederholbarkeit des Prozesses
  • Betriebstemperatur: -50 °C bis 400 °C – breites Prozessfenster
  • Unterstützte Wafergrößen: 150 mm, 200 mm, 300 mm (Standard)
  • Oberflächenebenheit: ≤5 μm TTV – präzise Waferpositionierung
  • Spannungsfestigkeit: >15 kV/mm – robuste elektrische Isolierung
  • Spannkraft: Einstellbar 50–500 mbar – flexibel für verschiedene Prozesse

Produktbilder und Videos

AlN Ceramic Electrostatic Chuck Wafer Tray for Semiconductor Processing

Präzises elektrostatisches AlN-Keramikfutter für die Waferverarbeitung

Aluminum Nitride Ceramic Performance Parameters

Umfassende Leistungsparameter von Aluminiumnitrid-Keramik

AlN Ceramic Substrate Production Dimensions

Herstellungsabmessungen und Toleranzen für AlN-Keramikkomponenten

Produktmerkmale und Vorteile

Überlegenes Wärmemanagement für mikroelektronische Hochleistungskomponenten

Mit einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 200 W/m·K zeichnen sich unsere AlN-ESCs durch eine hervorragende Wärmeableitung aus und sorgen so für eine gleichmäßige Temperatur auf dem gesamten Wafer. Dies ist für konsistente Ergebnisse bei der Herstellung mikroelektronischer Hochleistungskomponenten und Leistungsgeräte von entscheidender Bedeutung.

Integrierte Co-Firing-Technologie

Unser proprietärer Co-Firing-Prozess verbindet Keramik- und Elektrodenmaterialien bei hoher Temperatur, verhindert eine Verschlechterung und garantiert eine stabile elektrostatische Leistung über Jahrzehnte im Betrieb – ideal für Dickschicht-Hybrid-Mikroschaltungen und anspruchsvolle Halbleiterfabriken.

Kontrollierter Volumenwiderstand und einstellbare Spannkraft

Der präzise abgestimmte Volumenwiderstand zwischen 10¹⁰ und 10¹⁴ Ω·cm ermöglicht eine starke Klemmung auch bei erhöhten Temperaturen, während die von 50 bis 500 mbar einstellbare Spannkraft sich an zerbrechliche oder dünne Wafer anpasst, die in der Mikroelektronik und Sensorverpackung verwendet werden.

Plasmabeständige und robuste Konstruktion

Unsere ESCs sind so konstruiert, dass sie Halogenplasmaatmosphären standhalten und einen unterbrechungsfreien Betrieb in Ätz- und Abscheidungsanlagen ermöglichen. Diese Langlebigkeit führt zu geringerem Wartungsaufwand und höherer Betriebszeit für elektronische Verpackungslinien.

Implementierungsleitfaden – 6 Schritte zur Integration

  1. Systemintegration: Montieren Sie den ESC mit geeigneten elektrischen und thermischen Anschlüssen in Ihrer Prozesskammer.
  2. Stromkonfiguration: An eine Hochspannungsversorgung (0–5 kV) anschließen, um die elektrostatische Klemmung zu aktivieren.
  3. Temperaturkalibrierung: Kalibrieren Sie integrierte Heizungen und Sensoren mithilfe unserer empfohlenen Profile.
  4. Prozessoptimierung: Passen Sie Spannkraft- und Temperatursollwerte für Ihr spezifisches Rezept an (Ätzen, CVD usw.).
  5. Leistungsvalidierung: Führen Sie Testwafer durch, um die Gleichmäßigkeit bei ±1 °C und die Klemmzuverlässigkeit zu überprüfen.
  6. Wartungsprotokoll: Befolgen Sie unseren Reinigungsplan, um die Oberflächenqualität und Plasmabeständigkeit zu erhalten.

Anwendungsszenarien

Verarbeitung von Halbleiterwafern

Entscheidend für Plasmaätzen, CVD, PVD und Ionenimplantation – wo präzise thermische Kontrolle und sichere Klemmung die Ausbeute bei der Herstellung integrierter Schaltkreise bestimmen.

Fortschrittliche Lithographiesysteme

Bietet stabile Temperatur und Ebenheit für hochauflösende Strukturierung bei der Verpackung von Mikroelektronik und der Produktion von Logikgeräten.

Dünnschichtabscheidung und Hybridschaltungen

Gewährleistet eine gleichmäßige Schichtdicke beim Sputtern, was für Dickschicht-Hybrid-Mikroschaltungen und HF-Schaltungen unerlässlich ist.

Waferprüfung und -inspektion

Zuverlässige Waferpositionierung und thermische Stabilität unterstützen genaue parametrische Tests zur Qualitätskontrolle in Leistungsgeräten und optoelektronischen Anwendungen .

Forschung und Entwicklung

Ideal für Universitäten und Labore , die Hochfrequenzmodule und Mikrowellenkomponenten der nächsten Generation entwickeln.

Kundenvorteile

  • Verbesserte Prozessausbeute: Eine Gleichmäßigkeit von ±1 °C reduziert Defekte und erhöht die Chipausbeute bei elektronischen Verpackungen .
  • Erhöhte Geräteverfügbarkeit: Robuste Co-Fire-Konstruktion minimiert Ausfallzeiten – bewährt in der Großserienfertigung.
  • Reduzierte Betriebskosten: Eine längere Lebensdauer senkt die Gesamtbetriebskosten; Eine Lieferkapazität von 200.000 Stück/Monat gewährleistet eine schnelle Lieferung.
  • Prozessflexibilität: Ein Spannfutter bewältigt mehrere Wafergrößen und Prozesse – ideal für hybride Mikroschaltungen und Sensorverpackungen .
  • Technische Expertise: Direkte technische Unterstützung für die Integration, von blanken Keramikplatten bis hin zu vollständig angepassten ESCs.

Zertifizierungen und Qualitätskonformität

Unsere Produktionsstätten entsprechen den ISO 9001-Standards. Jeder AlN-Regler wird zu 100 % elektrischen, thermischen und mechanischen Tests unterzogen. Die statistische Prozesskontrolle gewährleistet eine Ebenheit des AlN-Keramiksubstrats von ≤5 μm TTV und einen konstanten Volumenwiderstand. Die Rückverfolgbarkeit wird vom Rohmaterial bis zu den fertigen Keramikkomponenten gewährleistet und erfüllt die strengsten Anforderungen der Halbleiterindustrie.

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