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$50
≥50 Piece/Pieces
Marke: Puwei-Keramik
Origin: China
Zertifizierung: GXLH41023Q10642R0S
Herkunftsort: China
Arten Von: Piezoelektrische Keramik, Isolierkeramik, Elektrothermische Keramik, Hochfrequenzkeramik, Dielektrische Keramik
Material: Aluminiumnitrid
Aln Esc: ALN CERAMIC ESC ELEKTROSTATISCHE CHUCK WAHL
| Verkaufseinheiten: | Piece/Pieces |
|---|---|
| Pakettyp: | Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun |
| Bildbeispiel: |
Verpakung: Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun
Produktivität: 200000
Transport: Ocean,Air,Express
Ort Von Zukunft: China
Unterstützung über: The annual production of ceramic structural components are 200000 pieces.
Zertifikate : GXLH41023Q10642R0S
Hafen: Shanghai,Beijing,Xi’an
Zahlungsart: T/T
Incoterm: FOB,CIF
Die Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik-Elektrostatik-Wafer-Trays (ESC) von Puwei wurden entwickelt, um die Handhabung von Wafern in anspruchsvollen Halbleiterumgebungen neu zu definieren. Durch die Kombination einer außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit (170–200 W/m·K) mit zuverlässiger elektrostatischer Klemmung gewährleisten diese Spannfutter eine gleichmäßige Temperaturverteilung über den Wafer – entscheidend für Prozesse wie Plasmaätzen, CVD und Ionenimplantation. Unsere AlN-ESCs wurden für die Produktion integrierter Schaltkreise und die Verpackung von Mikroelektronik entwickelt und liefern die Präzision und Konsistenz, die für die Herstellung von Geräten der nächsten Generation erforderlich sind.

Präzises elektrostatisches AlN-Keramikfutter für die Waferverarbeitung

Umfassende Leistungsparameter von Aluminiumnitrid-Keramik

Herstellungsabmessungen und Toleranzen für AlN-Keramikkomponenten
Mit einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 200 W/m·K zeichnen sich unsere AlN-ESCs durch eine hervorragende Wärmeableitung aus und sorgen so für eine gleichmäßige Temperatur auf dem gesamten Wafer. Dies ist für konsistente Ergebnisse bei der Herstellung mikroelektronischer Hochleistungskomponenten und Leistungsgeräte von entscheidender Bedeutung.
Unser proprietärer Co-Firing-Prozess verbindet Keramik- und Elektrodenmaterialien bei hoher Temperatur, verhindert eine Verschlechterung und garantiert eine stabile elektrostatische Leistung über Jahrzehnte im Betrieb – ideal für Dickschicht-Hybrid-Mikroschaltungen und anspruchsvolle Halbleiterfabriken.
Der präzise abgestimmte Volumenwiderstand zwischen 10¹⁰ und 10¹⁴ Ω·cm ermöglicht eine starke Klemmung auch bei erhöhten Temperaturen, während die von 50 bis 500 mbar einstellbare Spannkraft sich an zerbrechliche oder dünne Wafer anpasst, die in der Mikroelektronik und Sensorverpackung verwendet werden.
Unsere ESCs sind so konstruiert, dass sie Halogenplasmaatmosphären standhalten und einen unterbrechungsfreien Betrieb in Ätz- und Abscheidungsanlagen ermöglichen. Diese Langlebigkeit führt zu geringerem Wartungsaufwand und höherer Betriebszeit für elektronische Verpackungslinien.
Entscheidend für Plasmaätzen, CVD, PVD und Ionenimplantation – wo präzise thermische Kontrolle und sichere Klemmung die Ausbeute bei der Herstellung integrierter Schaltkreise bestimmen.
Bietet stabile Temperatur und Ebenheit für hochauflösende Strukturierung bei der Verpackung von Mikroelektronik und der Produktion von Logikgeräten.
Gewährleistet eine gleichmäßige Schichtdicke beim Sputtern, was für Dickschicht-Hybrid-Mikroschaltungen und HF-Schaltungen unerlässlich ist.
Zuverlässige Waferpositionierung und thermische Stabilität unterstützen genaue parametrische Tests zur Qualitätskontrolle in Leistungsgeräten und optoelektronischen Anwendungen .
Ideal für Universitäten und Labore , die Hochfrequenzmodule und Mikrowellenkomponenten der nächsten Generation entwickeln.
Unsere Produktionsstätten entsprechen den ISO 9001-Standards. Jeder AlN-Regler wird zu 100 % elektrischen, thermischen und mechanischen Tests unterzogen. Die statistische Prozesskontrolle gewährleistet eine Ebenheit des AlN-Keramiksubstrats von ≤5 μm TTV und einen konstanten Volumenwiderstand. Die Rückverfolgbarkeit wird vom Rohmaterial bis zu den fertigen Keramikkomponenten gewährleistet und erfüllt die strengsten Anforderungen der Halbleiterindustrie.
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