AlN-Keramik-ESC-Elektrostatik-Chuck-Wafer-Tablett

Produktübersicht

Die Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik-Elektrostatik-Wafer-Trays (ESC) von Puwei stellen den Gipfel der Halbleiterverarbeitungstechnologie dar und wurden entwickelt, um ein außergewöhnliches Wärmemanagement und eine präzise Wafer-Handhabung in fortschrittlichen mikroelektronischen Verpackungsanwendungen zu bieten. Diese hochentwickelten Komponenten sorgen für eine gleichmäßige Temperaturverteilung auf den Siliziumwafern, was für die Aufrechterhaltung der Prozesskonsistenz und -genauigkeit bei der Halbleiterfertigung von entscheidender Bedeutung ist.

Unsere AlN-Keramik-ESCs bieten eine zuverlässige elektrostatische Klemmung mit hervorragender Wärmeleitfähigkeit und eignen sich daher ideal für anspruchsvolle Halbleiterprozesse wie Plasmaätzen, chemische Gasphasenabscheidung und Ionenimplantation bei der Herstellung integrierter Schaltkreise .

Technische Spezifikationen

• Materialzusammensetzung: Hochreine Aluminiumnitrid-Keramik (AlN).
• Wärmeleitfähigkeit: 170–200 W/m·K
• Volumenwiderstand: 10¹⁰-10¹⁴ Ω·cm (kontrollierbar)
• Temperaturgleichmäßigkeit: ±1 °C über die gesamte Waferoberfläche
• Betriebstemperatur: -50 °C bis 400 °C
• Unterstützte Wafergrößen: 150 mm, 200 mm, 300 mm Standards
• Oberflächenebenheit: ≤5μm TTV
• Spannungsfestigkeit: >15 kV/mm
• Spannkraft: Einstellbar 50-500 mbar

Produktbilder

Präzises elektrostatisches AlN-Keramikfutter für die Waferverarbeitung

Umfassende Leistungsparameter von Aluminiumnitrid-Keramik

Fertigungsabmessungen und Toleranzen für AlN-Keramikkomponenten

Produktmerkmale und Vorteile

Überlegenes Wärmemanagement

Mit einer Wärmeleitfähigkeit von 170–200 W/m·K gewährleisten unsere AlN-ESCs eine hervorragende Wärmeableitung und eine gleichmäßige Temperaturverteilung über die gesamte Waferoberfläche, was für konsistente Prozessergebnisse bei der Herstellung mikroelektronischer Hochleistungskomponenten von entscheidender Bedeutung ist.

Integrierte Co-Firing-Technologie

Der proprietäre integrierte Co-Firing-Herstellungsprozess gewährleistet eine langfristige Elektrodenstabilität ohne Verschlechterung und sorgt für eine konstante elektrostatische Leistung und eine längere Lebensdauer in anspruchsvollen Halbleiterumgebungen.

Kontrollierter Volumenwiderstand

Der präzise konstruierte Volumenwiderstand (10¹⁰-10¹⁴ Ω·cm) ermöglicht eine optimale Leistung über weite Temperaturbereiche hinweg und sorgt gleichzeitig für eine ausreichende Adsorptionskraft für eine sichere Waferhandhabung während der Verarbeitung.

Fortschrittliches Heizungsdesign

Die Integration von Heizgeräten mit hohem Freiheitsgrad sorgt für eine außergewöhnliche Temperaturgleichmäßigkeit (±1 °C) und gewährleistet so konsistente Verarbeitungsbedingungen über die gesamte Waferoberfläche für überlegene Ausbeuteraten.

Plasmabeständige Konstruktion

Unsere ESCs sind für den kontinuierlichen Betrieb in Plasma-Halogen-Vakuumatmosphären konzipiert und halten den anspruchsvollsten Prozessumgebungen in der Halbleiter- und Mikroelektronikfertigung stand.

Implementierungsleitfaden

1. Systemintegration: ESC in Halbleiterverarbeitungsgeräte mit ordnungsgemäßen elektrischen und thermischen Anschlüssen einbauen
2. Stromversorgungskonfiguration: Für die elektrostatische Klemmfunktion an eine geeignete Hochspannungsquelle anschließen
3. Temperaturkalibrierung: Kalibrieren Sie Heizelemente und Temperatursensoren für eine präzise Temperaturregelung
4. Prozessoptimierung: Feinabstimmung der Spannkraft- und Temperatureinstellungen für bestimmte Halbleiterprozesse
5. Leistungsvalidierung: Überprüfen Sie die Temperaturgleichmäßigkeit und die elektrostatische Leistung mit Testwafern
6. Wartungsprotokoll: Erstellen Sie einen regelmäßigen Reinigungs- und Inspektionsplan für eine optimale Leistung

Anwendungsszenarien

Verarbeitung von Halbleiterwafern

Unentbehrlich für Plasmaätz-, CVD-, PVD- und Ionenimplantationsprozesse, bei denen eine präzise Temperaturkontrolle und sichere Waferklemmung für die Qualität und Ausbeute elektronischer Verpackungen entscheidend sind.

Fortschrittliche Lithographiesysteme

Bietet eine stabile thermische Umgebung und sichere Waferpositionierung für hochauflösende Lithografieprozesse bei der Herstellung integrierter Schaltkreise und gewährleistet Mustergenauigkeit und Registrierung.

Dünnschichtabscheidung

Hält die Wafertemperatur während der Sputter- und Verdampfungsprozesse konstant, was für eine gleichmäßige Filmdicke und Eigenschaften bei der Herstellung von Dickschicht-Hybrid-Mikroschaltkreisen entscheidend ist.

Waferprüfung und -inspektion

Gewährleistet eine zuverlässige Waferpositionierung und thermische Stabilität bei elektrischen Tests und optischen Inspektionsverfahren und liefert genaue Leistungsdaten für die Qualitätskontrolle.

Forschung und Entwicklung

Ideal für die Entwicklung von Halbleiterprozessen und die Materialforschung. Bietet präzise Temperaturkontrolle und zuverlässige Waferhandhabung für Versuchsaufbauten und Prototypenentwicklung.

Kundenvorteile

• Verbesserte Prozessausbeute: Überlegene Temperaturgleichmäßigkeit gewährleistet konsistente Verarbeitungsergebnisse über den gesamten Wafer
• Erhöhte Geräteverfügbarkeit: Robuste Konstruktion und zuverlässige Leistung minimieren Wartungsaufwand und Ausfallzeiten
• Reduzierte Betriebskosten: Lange Lebensdauer und konstante Leistung senken die Gesamtbetriebskosten
• Prozessflexibilität: Anpassbar an verschiedene Halbleiterprozesse und Wafergrößen
• Technische Expertise: Zugang zu spezialisierter technischer Unterstützung für Integration und Optimierung
• Qualitätssicherung: Gleichbleibende Leistung durch strenge Fertigungskontrollen und Tests

Zertifizierungen und Qualitätskonformität

Unsere Herstellungsprozesse entsprechen internationalen Qualitätsstandards und umfassen umfassende Qualitätskontrollsysteme, die eine gleichbleibende Produktleistung gewährleisten. Alle AlN-Keramik-ESCs werden strengen Tests unterzogen, um die Spezifikationen der Halbleiterindustrie hinsichtlich thermischer, elektrischer und mechanischer Leistung zu erfüllen.

Wir sorgen während des gesamten Produktionsprozesses für eine vollständige Rückverfolgbarkeit und implementieren eine statistische Prozesskontrolle, um Maßgenauigkeit, Oberflächenqualität und Leistungszuverlässigkeit für jedes elektrostatische Spannfutter zu gewährleisten.

Anpassungsdienste

Wir bieten umfassende Anpassungsmöglichkeiten, um spezifische Anforderungen an Halbleitergeräte zu erfüllen:

• Kundenspezifische Wafergrößen und Chuck-Geometrien
• Spezielle Elektrodenmuster und -konfigurationen
• Integrierte Heizelemente mit spezifischem Leistungsbedarf
• Kundenspezifische Oberflächenveredelungen und Ebenheitsspezifikationen
• Besondere Montagemerkmale und Anschlussschnittstellen
• Anwendungsspezifische Materialformulierungen

Unser Engineering-Team arbeitet mit Geräteherstellern zusammen, um optimierte ESC-Lösungen für spezifische Prozessanforderungen und Gerätekonfigurationen zu entwickeln.

Produktionsprozess und Qualitätssicherung

Unser Herstellungsprozess umfasst fortschrittliche Techniken, die speziell für leistungsstarke AlN-Keramik-ESCs entwickelt wurden:

• Materialvorbereitung: Hochreines AlN-Pulver mit kontrollierten Zusätzen für spezifische elektrische Eigenschaften
• Grünformung: Präzises Pressen oder Gießen eines Keramikkörpers mit integrierten Elektrodenmustern
• Co-Firing-Prozess: Integriertes Sintern von Keramik- und Elektrodenmaterialien für optimale Verbindung
• Präzisionsbearbeitung: CNC-Schleifen und Läppen, um die erforderliche Ebenheit und Maßgenauigkeit zu erreichen
• Oberflächenveredelung: Spezialpolieren und Reinigen für optimale Oberflächenqualität
• Umfassende Tests: 100 % elektrische, thermische und mechanische Leistungsüberprüfung

Jeder ESC durchläuft mehrere Qualitätskontrollpunkte, um perfekte Ebenheit, zuverlässige elektrostatische Leistung und konsistente thermische Eigenschaften für anspruchsvolle Halbleiteranwendungen sicherzustellen.