Das direkt plattierte DPC-metallisierte AlN-Substrat aus Kupfer stellt den Höhepunkt der Keramiksubstrattechnologie dar und kombiniert überlegenes Wärmemanagement mit außergewöhnlicher elektrischer Leistung. Diese fortschrittliche Lösung wurde für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen entwickelt, bei denen Zuverlässigkeit und Leistung bei elektronischen und mikroelektronischen Verpackungen von entscheidender Bedeutung sind.
Kernvorteile
- Außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit: 170–230 W/(m·K) für hervorragende Wärmeableitung
- Hervorragende elektrische Isolierung: Hoher Isolationswiderstand > 10¹⁰ Ω·cm
- Präzisionsmetallisierung: Direkte Kupferbeschichtung für optimale Haftung und Leitfähigkeit
- CTE-Anpassung: Der Wärmeausdehnungskoeffizient entspricht weitgehend dem von Silizium (4,5 ppm/K)










