Category: Aln -Keramik -Substrat

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Doppelseitig poliertes AlN-Keramiksubstrat in Spiegelqualität

Doppelseitig poliertes AlN-Keramiksubstrat in Spiegelqualität

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≥50 Piece/Pieces

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Zahlungsart: T/T
Incoterm: FOB,CIF,EXW
Minimum der Bestellmenge: 50 Piece/Pieces
Transport: Ocean,Air,Express
Hafen: Shanghai,Beijing,Xi`an

Beschreibung

Produkteigenschaften

Marke: Puwei-Keramik

Origin: China

Zertifizierung: GXLH41023Q10642R0S

Herkunftsort: China

Arten Von: Piezoelektrische Keramik, Elektrothermische Keramik, Isolierkeramik, Hochfrequenzkeramik, Dielektrische Keramik

Material: Aluminiumnitrid

Poliertes Aln -Substrat: Doppelseitiger Aln -Keramik -Substrat der Spiegelklasse

Verpackung & Lieferung

Verkaufseinheiten:	Piece/Pieces
Pakettyp:	Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun
Bildbeispiel:

Lieferfähigkeit & Zusatzinformationen

Verpakung: Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun

Produktivität: 1000000

Transport: Ocean,Air,Express

Ort Von Zukunft: China

Unterstützung über: The annual output of ceramic substrate products is 1 million pieces.

Zertifikate : GXLH41023Q10642R0S

Hafen: Shanghai,Beijing,Xi`an

Zahlungsart: T/T

Incoterm: FOB,CIF,EXW

Produktbeschreibung

Doppelseitig poliertes Aluminiumnitrid (AlN)-Keramiksubstrat in Hochglanzqualität

Das doppelseitig polierte AlN-Keramiksubstrat in Spiegelqualität von Puwei setzt den Standard für Wärmemanagement und elektrische Integrität in fortschrittlichen elektronischen Verpackungen . Dieses Substrat wurde mit einer ultraglatten, optisch hochwertigen Oberfläche (Ra <0,02 μm) und einer hervorragenden Wärmeleitfähigkeit (≥175 W/m·K) entwickelt und ist die grundlegende Komponente für hochzuverlässige Mikroelektronik , Leistungsgeräte und Hochfrequenzmodulbaugruppen . Sie wurde speziell als hochwertige blanke Keramikplatte für den Einsatz bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen , Dickschicht-Hybrid-Mikroschaltkreisen und anderen elektronischen Präzisionssystemen entwickelt, bei denen Wärmeableitung und Oberflächenebenheit von entscheidender Bedeutung sind.

AlN vs. conventional ceramic substrate thermal performance comparison

Leistungsvergleich unterstreicht die überlegene Wärmeleitfähigkeit von AlN.

Kernfunktionen und Vorteile

Außergewöhnliches Wärmemanagement: Mit einer 8- bis 10-mal höheren Wärmeleitfähigkeit als Aluminiumoxid leitet es die Wärme von leistungsstarken mikroelektronischen Komponenten effektiv ab, verhindert thermische Drosselung und verlängert die Lebensdauer des Geräts.
Präzisionsfertigungsoberfläche: Die doppelseitige Hochglanzpolitur sorgt für eine makellos ebene Oberfläche, die für die ertragreiche Dickschicht-Aufbringung gedruckter Schaltungen , die Strukturierung feiner Linien und die zuverlässige Chip-Befestigung in mikroelektronischen Verpackungen unerlässlich ist.
Hervorragende elektrische Isolierung: Hohe dielektrische Festigkeit (>15 kV/mm) und Volumenwiderstand (>10¹⁴ Ω·cm) sorgen für hervorragende Leistung als Isolationselement in Hochspannungs- und Hochfrequenzumgebungen.
Passender CTE für Zuverlässigkeit: Der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE: 4,2–4,8 × 10⁻⁶/°C) entspricht weitgehend dem von Silizium und Galliumarsenid, minimiert thermische Spannungen und verhindert Delamination in Halbleiter- und Sensorgehäusen .
Hochtemperaturstabilität: Hält Betriebstemperaturen von bis zu 1800 °C (inerte Atmosphäre) stand und gewährleistet so eine gleichbleibende Leistung in extremen Umgebungen.

Technische Spezifikationen

Thermische und physikalische Eigenschaften

Wärmeleitfähigkeit: Standardqualität ≥175 W/m·K; Hochleistungsklasse ≥200 W/m·K
CTE (Wärmeausdehnungskoeffizient): 4,2–4,8 × 10⁻⁶/°C
Maximale Betriebstemperatur: 1800 °C (inerte Atmosphäre)
Dichte: >3,26 g/cm³

Abmessungen und Oberflächenbeschaffenheit

Standarddicke: 0,10 mm bis 3,0 mm
Oberflächenbeschaffenheit: Doppelseitige Hochglanzpolitur, Ra < 0,02 μm
Kundenspezifische Planabmessungen: Auf Anfrage erhältlich (bis zu 240 mm × 280 mm)

Elektrische Eigenschaften

Dielektrizitätskonstante (εr): 8,0 - 9,0 bei 1 MHz
Spannungsfestigkeit: >15 kV/mm
Volumenwiderstand: >1 × 10¹⁴ Ω·cm

Schlüsselanwendungen

Dieses Substrat wurde für anspruchsvolle Anwendungen in kritischen Branchen entwickelt:

Leistungselektronik: Ideale Grundplatte für IGBT-Module, SiC-Leistungsgeräte in EV/HEV-Traktionsumrichtern und industrielle Motorantriebe, bei denen die Wärmeableitung von Leistungsgeräten von größter Bedeutung ist.
HF- und Mikrowellenkommunikation: Verlustarmes Hochfrequenzsubstrat für Mikrowellenkomponenten , Leistungsverstärker in der 5G/6G-Infrastruktur und Verteidigungssysteme, die stabile HF-Schaltkreise erfordern.
Fortschrittliche Optoelektronik: Hervorragende Wärmeverteilung für Hochleistungs-Laserdiodenpakete (LiDAR), LED-Arrays mit hoher Helligkeit und andere optoelektronische Anwendungen .
Hybrid- und Präzisionsschaltkreise: Das bevorzugte Substrat für hochzuverlässige Dickschicht-Hybrid-Mikroschaltkreise , MEMS-Sensoren und fortschrittliche Verpackungen für integrierte Schaltkreise .
Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungselektronik: Robuste Leistung unter extremer thermischer und mechanischer Belastung zur Unterstützung von Keramikkomponenten in geschäftskritischen Systemen.

Strategischer Wert für Ihr Unternehmen

Verbessern Sie die Systemzuverlässigkeit: Die hervorragende Wärmeableitung verlängert die Lebensdauer empfindlicher mikroelektronischer Hochleistungskomponenten .
Erhöhen Sie die Fertigungsausbeute: Die Oberflächenqualität in optischer Qualität sorgt für eine fehlerfreie Schaltungsabscheidung und einen höheren Produktionsdurchsatz.
Reduzieren Sie die Gesamtsystemkosten: Hohe Wärmeleitfähigkeit ermöglicht einfachere und kostengünstigere Kühllösungen.
Beschleunigen Sie die Markteinführung: Durch die gebrauchsfertige Hochglanzbeschichtung entfallen zusätzliche Schritte zur Oberflächenvorbereitung in Ihrer Produktionslinie.
Zukunftsfähige Leistung: Ermöglicht Leistungsdichte und Miniaturisierung der nächsten Generation in Mikroelektronikgehäusen .

Integrationsprozess: Eine Schritt-für-Schritt-Anleitung

Design und Spezifikation: Legen Sie gemeinsam mit den Puwei-Ingenieuren die Substratabmessungen, die Dicke und den Leistungsgrad auf der Grundlage Ihrer mikroelektronischen Verpackungsanforderungen fest.
Oberflächenvorbereitung: Reinigen Sie die hochglanzpolierte Oberfläche mit Standard-Reinigungsprotokollen für Halbleiter (z. B. Ultraschallreinigung mit IPA), um eine optimale Haftung sicherzustellen.
Schaltkreisherstellung: Tragen Sie leitfähige Schaltkreise über Dick-/Dünnfilmdruck, DBC-, DPC- oder AMB-Verfahren auf, um einen funktionsfähigen gedruckten Dickfilmschaltkreis zu erstellen.
Komponentenmontage: Befestigen Sie Halbleiterchips, Keramikkomponenten oder andere mikroelektronische Hochleistungskomponenten mithilfe von Lot, Epoxidharz oder Sinterpasten.
Abschließende Integration und Tests: Vollständiges Drahtbonden oder Flip-Chip-Verbindungen, gefolgt von einer umfassenden elektrischen, thermischen und mechanischen Validierung.

Custom AlN ceramic substrate with precise dimensions and edge details

AlN-Substrate in Sondergröße, bereit für die Schaltungsfertigung.

Produktionsprozess und Qualitätssicherung

Unsere vertikale Fertigung gewährleistet eine gleichbleibende, qualitativ hochwertige Produktion:

Materialsynthese: Herstellung und Verifizierung von hochreinem AlN-Pulver.
Präzisionsformung: Substratformung durch Bandgießen oder Trockenpressen.
Hochtemperatursintern: Verdichtung in kontrollierter Atmosphäre zur Erzielung optimaler thermischer und mechanischer Eigenschaften.
CNC-Bearbeitung: Präzises Schleifen zur Erzielung enger Maßtoleranzen.
Spiegelpolieren: Mehrstufiges mechanisch-chemisches Polieren, um die angegebene Oberflächengüte Ra <0,02 μm zu erreichen.
Strenge Endkontrolle: 100-prozentige Kontrolle der wichtigsten Parameter, einschließlich Abmessungen, Oberflächenqualität und Verformung/Krümmung.

Zertifizierungen und Compliance

ISO 9001:2015 zertifiziert: Strenges Qualitätsmanagementsystem mit SPC-Kontrollen vom Rohmaterial bis zum fertigen Produkt.
RoHS- und REACH-konform: Alle Materialien sind umweltfreundlich und ungiftig.
Vollständige Rückverfolgbarkeit: Verfolgung aller Aluminiumnitrid-Wafer und fertigen Substrate auf Chargenebene.

Anpassung und Mehrwertdienste

Wir bieten umfassende OEM/ODM-Services, um das Substrat genau an Ihre Bedürfnisse anzupassen:

Geometrie: Benutzerdefinierte Dicke (ab 0,10 mm), planare Abmessungen und präzise Schnittmerkmale (Löcher, Schlitze, komplexe Konturen).
Oberfläche und Metallisierung: Zu den Optionen gehören Einzel-/Doppelseitenpolitur, gebrannte oder geschliffene Oberflächen. Wir bieten auch umfassende Metallisierungsdienste (DBC, DPC, AMB) an, um montagefertige Substrate zu liefern.
Materialqualitäten: Standard-AlN (≥175 W/m·K) oder Premium-AlN mit hoher Leitfähigkeit (≥200 W/m·K).

Direkter Mehrwert für Ihr Unternehmen: Dieses Substrat erhöht die Systemzuverlässigkeit durch verbesserte Wärmeableitung, erhöht die Produktionsausbeute durch seine überlegene Oberflächenqualität und kann die Gesamtsystemkosten senken, indem es einfachere thermische Lösungen ermöglicht. Es ist die optimale Wahl für Innovatoren, die die Grenzen der Leistungsdichte und Miniaturisierung überschreiten.

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