Shaanxi Puwei Electronic Technology Co., Ltd

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Category: Aln -Keramik -Substrat
Produkt-Liste> Aluminiumnitridkeramik> Aln -Keramik -Substrat> Aluminium -Nitrid -Keramik -Substrat für IGBT -Leistungsmodule
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Aluminium -Nitrid -Keramik -Substrat für IGBT -Leistungsmodule
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  • Zahlungsart: T/T
  • Incoterm: FOB,CIF,EXW
  • Minimum der Bestellmenge: 50 Piece/Pieces
  • Transport: Ocean,Air,Express
  • Hafen: Shanghai,Beijing,Xi’an
Beschreibung
Produkteigenschaften

Marke: Puwei-Keramik

Arten Von: Piezoelektrische Keramik, Isolierkeramik, Elektrothermische Keramik, Hochfrequenzkeramik, Dielektrische Keramik

Material: Aluminiumnitrid

Leistungsmodule ALN -Substrat: Aluminium -Nitrid -Keramik -Substrat für IGBT -Leistungsmodule

Verpackung & Lieferung
Verkaufseinheiten: Piece/Pieces
Pakettyp: Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun
Bildbeispiel:
Lieferfähigkeit & Zusatzinformationen

Verpakung: Keramiksubstrate werden in Kartons mit Kunststoffeinlage verpackt, um Kratzer und Feuchtigkeit zu verhindern. Stabile Kartons werden auf Paletten gestapelt und mit Spanngurten oder Schrumpffolie gesichert. Dies gewährleistet Stabilität, einfache Handhabun

Produktivität: 1000000

Transport: Ocean,Air,Express

Ort Von Zukunft: China

Unterstützung über: The annual output of ceramic substrate products is 1 million pieces.

Zertifikate : GXLH41023Q10642R0S

Hafen: Shanghai,Beijing,Xi’an

Zahlungsart: T/T

Incoterm: FOB,CIF,EXW

Großgrößen Aluminiumnitrid-Keramik-Substrat
00:13
Produktbeschreibung

Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat für IGBT-Leistungsmodule: Premium-Wärmemanagementlösung

Produktübersicht

Das Aluminiumnitrid (AlN)-Keramiksubstrat von Puwei wurde speziell für hochzuverlässige IGBT-Leistungsmodule und fortschrittliche Leistungselektronik entwickelt. Als Eckpfeiler moderner elektronischer Verpackungen bietet dieses Substrat eine beispiellose Wärmeleitfähigkeit (170–230 W/m·K), um die Wärme von mikroelektronischen Hochleistungskomponenten effizient abzuleiten. Seine außergewöhnliche elektrische Isolierung, der an Silizium angepasste Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE) und die robusten mechanischen Eigenschaften machen es zur optimalen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien und Industrieantrieben und gewährleisten die Langlebigkeit und Zuverlässigkeit des Systems.

Warum sollten Sie sich für AlN-Substrate von Puwei entscheiden?

  • Branchenführende Wärmeleitfähigkeit: 170–230 W/(m·K) für maximale Wärmeableitung.
  • Überragende Zuverlässigkeit: Die hervorragende CTE-Anpassung an Si/SiC reduziert thermische Belastung und Ausfälle.
  • Umfassende Metallisierung: Vollständige Auswahl an DBC-, DPC-, AMB- und Dick-/Dünnschichtoptionen.
  • Bewährte Qualität: Hergestellt nach IATF 16949- und ISO 9001-zertifizierten Systemen.

Visuelle Produktdokumentation

Puwei Aluminum nitride ceramic substrate for IGBT power modules thermal management

Hochleistungs-Aluminiumnitrid-Substrat, optimiert für IGBT-Module.

Technical performance specifications table of Puwei AlN ceramic substrates

Detaillierte Leistungsparameter für die technische Auswahl.

Production dimensions and specifications of Puwei AlN ceramic substrates

Standard- und kundenspezifische Abmessungsmöglichkeiten.

Hauptmerkmale und Wettbewerbsvorteile

Unübertroffenes Wärmemanagement

Mit einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 230 W/(m·K) leiten unsere AlN-Substrate die Wärme schnell von den IGBT-Chips ab, verhindern so die Bildung von Hotspots und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Dies ist für Hochfrequenzmodule der nächsten Generation und kompakte Designs von entscheidender Bedeutung.

Überlegene elektrische und mechanische Leistung

Kombiniert hervorragende dielektrische Festigkeit mit hoher Biegefestigkeit (>300 MPa) und bietet robuste Isolierung und strukturelle Integrität bei mechanischen Vibrationen und thermischen Wechselbelastungen, wie sie in Automobil- und Industrieumgebungen üblich sind.

Optimale CTE-Anpassung

Der CTE von AlN entspricht weitgehend dem von Silizium (Si)- und Siliziumkarbid (SiC)-Halbleitern, wodurch die thermische Belastung an kritischen Chip-Befestigungsschnittstellen erheblich reduziert und die Modullebensdauer bei Stromwechseltests verlängert wird.

Vielseitige Metallisierungsplattform

Unterstützt alle wichtigen Verbindungstechnologien: DBC (Direct Bonded Copper) für hohe Leistung, DPC (Direct Plating Copper) für feine Merkmale, AMB (Active Metal Brazing) für extreme Zuverlässigkeit und Dickschichtdruck für Dickschicht-Hybrid-Mikroschaltungen .

Design- und Integrationsrichtlinien

  1. Thermische Analyse und Spezifikation: Bestimmen Sie die erforderliche Wärmeleitfähigkeit, Substratdicke und -größe basierend auf dem IGBT-Leistungsverlust und dem Systemkühlungsdesign.
  2. Auswahl der Metallisierung: Wählen Sie DBC für Hochstromkapazität, DPC für komplexe Feinleitungsschaltungen oder AMB für höchste Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen.
  3. Schaltungslayout-Design: Bereitstellung von Gerber-Dateien für Schaltungsmuster unter Berücksichtigung von Stromdichte, Kriech-/Luftstrecken und thermischer Via-Platzierung.
  4. Prototyping und Validierung: Puwei kann funktionale Prototypen für thermische, Leistungswechsel- und elektrische Isolationstests unter simulierten Betriebsbedingungen herstellen.
  5. Kompatibilität mit Montageprozessen: Unsere Substrate sind mit Standard-Die-Attach-Prozessen (Löten, Sintersilber) und Drahtbond-/Schweißprozessen kompatibel.

Primäre Anwendungsszenarien

Antriebsstränge für Elektro- und Hybridfahrzeuge

Wird in Traktionswechselrichtern, OBC (On-Board-Ladegeräten) und DC-DC-Wandlern verwendet. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und Zuverlässigkeit von AlN bei Vibrationen sind für Leistungsgeräte im Automobilbereich von entscheidender Bedeutung.

Wechselrichter für erneuerbare Energien

Unverzichtbar für Solar- und Windkraftwechselrichter, bei denen eine effiziente Wärmeableitung die Effizienz der Energieumwandlung und die Systemverfügbarkeit maximiert.

Industrielle Motorantriebe und USV

Bietet zuverlässiges Wärmemanagement in Hochleistungs-AC-Antrieben, Servoantrieben und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) für Fertigungs- und Rechenzentren.

Fortschrittliche HF- und Mikrowellenleistung

Geeignet für Hochleistungs- Mikrowellenkomponenten und HF-Verstärker, bei denen ein geringer dielektrischer Verlust und gute thermische Eigenschaften erforderlich sind.

Wertversprechen für B2B-Käufer

  • Erhöhte Leistungsdichte und Effizienz: Ermöglicht kleinere, leistungsstärkere Module durch verbesserte Wärmeableitung, wodurch Größe und Kosten des Kühlsystems reduziert werden.
  • Erhöhte Zuverlässigkeit und Lebensdauer: Überlegene Materialeigenschaften und CTE-Anpassung reduzieren die thermische Ermüdung, was zu geringeren Feldausfallraten und einer längeren Produktlebensdauer führt.
  • Reduzierte Gesamtbetriebskosten (TCO): Höhere Vorlaufkosten werden durch verbesserte Systemeffizienz, geringeren Kühlbedarf und geringere Garantiekosten ausgeglichen.
  • Technische Partnerschaft: Zugang zu technischem Fachwissen in den Bereichen Mikroelektronik-Verpackung und Keramiksubstratdesign für optimierte Lösungen.

Zertifizierungen und Qualitätssicherung

Unsere Fertigung entspricht den höchsten internationalen Standards und stellt sicher, dass Produkte für die Automobil-, Industrie- und Luft- und Raumfahrtmärkte geeignet sind:

  • IATF 16949:2016 zertifiziert für das Qualitätsmanagement im Automobilbereich.
  • ISO 9001:2015 zertifiziertes Qualitätsmanagementsystem.
  • Vollständig konform mit den Umweltrichtlinien RoHS und REACH .
  • UL-anerkannte Komponenten verfügbar.
  • Strenge In-Prozess- und Endkontrolle, einschließlich 100-prozentiger Maßkontrolle und stichprobenbasierter Eigenschaftsprüfung.

Anpassung und OEM/ODM-Dienste

Wir bieten eine vollständige Anpassung an Ihr spezifisches Moduldesign und Ihre Leistungsanforderungen.

Abmessungen und Geometrie

Jede benutzerdefinierte Größe bis zu 240 mm x 280 mm, mit einer Dicke von 0,10 mm (ultradünn) bis 2,0 mm. Komplexe Formen, Löcher und Konturen können präzise bearbeitet werden.

Metallisierung und Oberflächenveredelung

Wählen Sie zwischen DBC, DPC, AMB, TPC oder Dick-/Dünnfilmdruck. Es stehen verschiedene Oberflächenbeschaffenheiten (wie gebrannt, geläppt, poliert) und Endbeschichtungen (Ni/Au, Ag usw.) zur Verfügung.

Optimierung der Materialqualität

Wir bieten verschiedene AlN-Typen an, die auf ultrahohe Wärmeleitfähigkeit (>200 W/m·K), hohe Biegefestigkeit oder kostenoptimierte Leistung zugeschnitten sind.

Fortschrittlicher Herstellungsprozess

  1. Pulversynthese und -formung: Hochreines AlN-Pulver wird durch Bandgießen oder Trockenpressen zu präzisen Grünkörpern verarbeitet.
  2. Druckloses Sintern: In einer Stickstoffatmosphäre bei hoher Temperatur gebrannt, um eine Dichte von >99 % und optimale thermische Eigenschaften zu erreichen.
  3. Präzisionsbearbeitung: CNC-Schleifen und Läppen erzielen exakte Dicke, Ebenheit und Oberflächenbeschaffenheit.
  4. Metallisierung: Ausgewählter Prozess (DBC/DPC/AMB) wird unter kontrollierten Bedingungen angewendet, um robuste, zuverlässige Schaltkreisschichten zu bilden.
  5. Umfassende Qualitätskontrolle: Jede Charge wird einer Wärmeleitfähigkeitsmessung, elektrischen Tests, einer visuellen Inspektion und einer Dimensionsüberprüfung unterzogen.

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